IRLML6401 NチャネルMosfet SOT23-3 IRLML6401TRPBF PD 1.3W
カテゴリー:
集積回路モジュール
Price:
discussible
支払方法:
L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
仕様
評価される力:
1.3 W
下水管源の抵抗:
0.05 Ω
極性:
P-Channel
放蕩力:
1.3 W
境界の電圧:
550 mV
入れられたキャパシタンス:
830 pF
ピン ナンバー:
3
ハイライト:
NチャネルMosfet SOT23
,P Mosfet SOT23
,IRLML6401TRPBF
紹介
新しく、元のIRLML6401 N-Channel MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF
プロダクト 記述:
MOSFET;力;P CH;VDSS -12V;RDS （） 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V
TRANS MOSFET P-CH 12V 4.3A 3 PinマイクロT/R
トランジスター:P-MOSFET;単極;論理のレベル;-12V;-4.3A;1.3W
国際的な整流器からのこれらのP-ChannelのMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのにadvancedprocessing技術を利用する。HEXFET®力のMOSFETsが有名のためにであること速い切り替え速度および高耐久化されたdevicedesignと結合されるこの利点は電池のandload管理の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、thedesignerに与える。熱的に高められた大きいパッドのleadframeはthestandard SOT-23のパッケージにtheindustryで最も小さい足跡のHEXFET力MOSFETを作り出すために組み込まれた。このパッケージは、どこでスペースによってが報酬にあるプリント基板をMicro3™を、である理想的なforapplicationsダビングした。控えめの（<1>
科学技術変数:
| 境界の電圧 | 550 mV |
| 入力キャパシタンス | 830 pF |
| 評価される力 | 1.3 W |
| 極性 | P-Channel |
| 設置方法 | 表面の台紙 |
| ピン ナンバー | 3 |
| パッケージ | SOT-23-3 |
| 実用温度 | -55℃ | 150℃ （TJ） |
| 包装 | テープ及び巻き枠（TR） |
| 製造の適用 | DCスイッチ |
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ:
discussible